近日，由北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司、北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理請求人與江蘇多維科技有限公司的一件專利無效宣告結(jié)案。國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第561726號(hào)無效決定，宣告多維公司擁有的第201110125153.5號(hào)“一種開關(guān)傳感器”發(fā)明專利權(quán)全部無效。

　　專利法第 22 條第 3 款規(guī)定：創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，該實(shí)用新型具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步。

　　如果權(quán)利要求要求保護(hù)的技術(shù)方案與最接近現(xiàn)有技術(shù)相比存在多個(gè)區(qū)別技術(shù)特征，但應(yīng)用如上區(qū)別技術(shù)特征屬于本領(lǐng)域的公知常識(shí)，則該技術(shù)方案對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的，不具備創(chuàng)造性。

　　本專利涉及一種開關(guān)傳感器，現(xiàn)有開關(guān)傳感器無論在休眠或工作狀態(tài)功耗都較高，且工作頻率低，為此需要一種高靈敏度，低功耗，響應(yīng)頻率高，體積小的開關(guān)傳感器。本專利提供的開關(guān)傳感器，包括磁電阻元件和 ASIC 芯片，所述磁電阻元件與所述 ASIC 芯片相適配，并且所述磁電阻元件連接在所述 ASIC 芯片上，所述磁電阻元件為感應(yīng)元件和/或參考元件，所述感應(yīng)元件和所述參考元件為一個(gè)或者多個(gè) MTJ 磁電阻元件串聯(lián)組成。本發(fā)明利用 MTJ 電磁阻元件為敏感元件對靠近的鐵磁物質(zhì)進(jìn)行感應(yīng)，具有低功耗和高靈敏度的特性。根據(jù)記載，本專利技術(shù)方案的有益效果是：高靈敏度，無論在休眠或工作狀態(tài)均功耗較低，響應(yīng)頻率高，體積小。

　　本專利權(quán)利要求 1 方案一與證據(jù) 1 的區(qū)別在于：（1）本專利權(quán)利要求 1 的感應(yīng)元件為多個(gè) MTJ磁電阻元件串聯(lián)組成；（2）本專利權(quán)利要求 1 中所述 ASIC 芯片提供恒穩(wěn)電壓。專利權(quán)人對區(qū)別技術(shù)特征的認(rèn)定無異議。

　　由如上區(qū)別技術(shù)特征可知，本專利權(quán)利要求 1 方案一相對于證據(jù) 1 所要解決的技術(shù)問題為：如何構(gòu)造感應(yīng)元件及如何提供恒穩(wěn)電壓。而對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，可以將多個(gè)MTJ磁電阻元件串聯(lián)組成感應(yīng)元件是本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)。此外，在磁電阻傳感器領(lǐng)域，穩(wěn)定的輸入電壓是穩(wěn)定輸出的必要前提，因此，將 MTJ 磁電阻元件組成的傳感器電路的輸入設(shè)置為恒穩(wěn)電壓屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段，而且，在芯片領(lǐng)域，ASIC 芯片是常用的集成電路，通過其提供恒穩(wěn)電壓亦屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的，并不需要本領(lǐng)域技術(shù)人員付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)。

　　因此，本專利權(quán)利要求 1 的方案一相對于證據(jù) 1 與本領(lǐng)域公知常識(shí)的結(jié)合不具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，不具備創(chuàng)造性，不符合專利法第 22 條第 3 款的規(guī)定。

　　本專利權(quán)利要求 1 的方案二與證據(jù) 1 相比，除證據(jù) 1 未公開其 MTJ 磁電阻元件為感應(yīng)元件和參考元件、未公開感應(yīng)元件和參考元件為多個(gè) MTJ 磁電阻元件串聯(lián)組成及由 ASIC 芯片提供恒穩(wěn)電壓之外，其他技術(shù)特征與方案一評(píng)述理由類似，均被證據(jù) 1 公開。

　　因此，本專利權(quán)利要求 1 方案二與證據(jù) 1 的區(qū)別在于：（1）本專利權(quán)利要求 1 中的所述 MTJ 磁電阻元件為感應(yīng)元件和參考元件，且感應(yīng)元件和參考元件為多個(gè) MTJ 磁電阻元件串聯(lián)組成；（2）本專利權(quán)利要求 1中所述 ASIC 芯片提供恒穩(wěn)電壓。專利權(quán)人對區(qū)別技術(shù)特征的認(rèn)定無異議。 由如上區(qū)別技術(shù)特征可知，本專利權(quán)利要求 1 方案二相對于證據(jù) 1 所要解決的技術(shù)問題為：如何構(gòu)造感應(yīng)元件、如何使傳感器電路具有穩(wěn)定的性能及如何提供恒穩(wěn)電壓。

　　由證據(jù) 2 公開的內(nèi)容可見，其在使用磁性電阻元件構(gòu)造傳感器的過程中使用的磁場探測器和固定電阻器分別對應(yīng)于本專利權(quán)利要求 1 中的感應(yīng)元件與參考元件，且其如上設(shè)置的作用也是使電路獲得穩(wěn)定的性能，專利權(quán)人亦認(rèn)可證據(jù) 2 如上內(nèi)容公開了本專利“所述 MTJ 磁電阻元件為感應(yīng)元件和參考元件”相關(guān)技術(shù)特征，而且，如前所述，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，可以將多個(gè) MTJ 磁電阻元件串聯(lián)組成感應(yīng)元件和參考元件也是本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)。

　　對于如上區(qū)別技術(shù)特征（2），如前所述，在磁電阻傳感器領(lǐng)域，穩(wěn)定的輸入電壓是穩(wěn)定輸出的必要前提，因此，將 MTJ 磁電阻元件組成的傳感器電路的輸入設(shè)置為恒穩(wěn)電壓屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段，而且，在芯片領(lǐng)域，ASIC 芯片是常用的集成電路，通過其提供恒穩(wěn)穩(wěn)壓亦屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的，并不需要本領(lǐng)域技術(shù)人員付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)。

　　因此，本專利權(quán)利要求 1 的方案二相對于證據(jù) 1、證據(jù) 2 與本領(lǐng)域公知常識(shí)的結(jié)合亦不具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，不具備創(chuàng)造性，不符合專利法第 22 條第 3 款的規(guī)定。